该文采用至上而下的方式，介绍了应用RF MEMS技术的雷达系统，将雷达子系统与RF MEMS技术联系起来，具体分析了应用于雷达的RF MEMS开关，移相器、滤波器和谐振器。
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未设置昵称 2023-04-13 17:58:57安全生产隐患排查治理信息化系统软件
PDPI 2022-09-15 15:19:37培养“新工科”人才，安徽工程大学与天马微电子签订战略合作协议
奇偶派 2021-11-24 13:41:19小米财报
a14594260 2021-09-15 19:16:20隐患排查和煤矿化工安全生产预警系统软件解决方案
技术宅 2021-09-10 11:19:06有金属衬底的钢网如何高效设计
为解决射频芯片设计企业对射频芯片自能测试的要求，在比较分析了国内外射频自动测试方案和标准的基础上，提出了基于LabVIEW的GUI风格软件平台，通过GPIB总线接口与测试仪器进行通信……
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技术宅 2021-09-10 11:19:06有金属衬底的钢网如何高效设计
WCDMA是目前3G三种主流标准之一，为了能向用户提供优质的无线服务，网络优化在网络建设中至关重要。本文将结合案例针对WCDMA网络RF优化加以分析。
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技术宅 2021-09-10 11:19:06有金属衬底的钢网如何高效设计
对于电子产品而言，保护电路是为了防止电路中的关键敏感型器件受到过流、过压、过热等冲击的损害。保护电路的优劣对电子产品的质量和寿命至关重要。随着消费类电子产品需求的持续增长，更要求有强固的静电放电(ESD)保护，同时还要减少不必要的电磁干扰(EMI)/射频干部(RFI)噪声。此外，消费者希望最新款的消费电子产品可以用小尺寸设备满足越来越高速度的连接能力。
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Analog Devices supports your MSA compatible optical transceiver designs with best in class products AND best in class support. Complete high performance chips sets support SFP for Sonet， Ethernet and
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目前，全球通用的无线技术主要包括红外、蓝牙、RFID、ZigBee、 WIFI等。随着科技的不断发展，无线技术也进行着日新月异的改进。基于其灵活性、无需布线等优点，在市场上也得到相当广泛应用。
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Energy Micro is proud to introduce the EFM32 microcontroller family, which has an energy consumption that is many times lower than any other microcontroller family today, whether you benchmark with
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技术宅 2021-09-10 11:19:06有金属衬底的钢网如何高效设计
System-on-chip solutions based on ARM embedded processors address many different market segments including enterprise applications, automotive systems, home networking and wireless technologies. The
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对于电子产品而言，保护电路是为了防止电路中的关键敏感型器件受到过流、过压、过热等冲击的损害。保护电路的优劣对电子产品的质量和寿命至关重要。随着消费类电子产品需求的持续增长，更要求有强固的静电放电(ESD)保护，同时还要减少不必要的电磁干扰(EMI)/射频干部(RFI)噪声。此外，消费者希望最新款的消费电子产品可以用小尺寸设备满足越来越高速度的连接能力。
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Regulated low cost pre-treatment step for surface texturization of large area
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17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
100/40 Gigabit Transceiver Package Multi-Source Agreement，Version 2.0 r09，April 10, 2012。
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The metrology basics for advanced optical modulation formats are presented.The methods based on a delay line interferometer, a coherent receiver with frequency domain detection, and a coherent
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以NH3 和SiH4 为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD) 法在多晶硅(p2Si) 衬底上沉积了SiNx 薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx 薄膜界面特性的影响。
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / (a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。
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